资料介绍
官方页面介绍 940 nm VCSEL 单结外延阵列的加工工艺及阵列形式；PCE 指标具有外延及芯片结构等适用条件。
已核验的官网信息
| 项目 | 官网列示内容 |
|---|---|
| 工艺 | 高深度及高垂直角度 Mesa 蚀刻；高均匀性湿法氧化 |
| 电镀能力 | 高深宽比深孔填充 |
| 阵列 | 20～400 个，一字或方形排布 |
| PCE 条件 | 官网表述为：在特定外延及芯片结构设计下，工作电流下大于 40% |
此条为官方网页索引。不同型号、版本、配置和测试条件不能混用，完整说明与适用条件以厂家原页面为准。
原始资料
文档由官方来源提供，请核对适配型号及硬件版本。
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参考来源
来源：陕西光电子先导院科技有限公司 官网 · 查看来源 ↗
作者 / 编辑：宝典蛙编辑 · 最后更新：2026-10-07 23:11